Исследованы причины возрастания концентрации донорных центров в тонких слоях (Bi, Sb)₂Te₃, полученных методом катодного распыления, при возрастании миграционной способности атомов и молекул осаждаемого материала на поверхности растущей пленки. Установлены механизмы, ответственные за изменение подвижности носителей заряда в сформированных слоях с электронной и дырочной проводимостью в процессе их термообработки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.