Рассчитана энергия связи и определены параметры вариационной функции экситона и акцепторного центра, образованных неосновными носителями (дырками), связанными с электронами в приповерхностном слое, или с акцепторами, находящимися на границе диэлектрик-полупроводник. Учитывается экранирование заряда электрона, дырки и акцептора другими свободными электронами приповерхностного слоя. Показано, что в кремниевых МДП структурах (100) поверхностные экситоны могут существовать при концентрации поверхностного заряда n_s порядка 10¹¹-10¹² см^-2. Рассчитаны относительные интенсивности линии экситонной люминесценции и полосы, обусловленной рекомбинацией дырки в экситоне со свободными электронами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.