Анализ трансформации спектров отражения и пропускания CdS в электрическом поле при интенсивном оптическом возбуждении ниже экситонного резонанса показывает, что поле вызывает рост плотности фотовозбужденных носителей и образование электронно-дырочной плазмы, причем распределение носителей сильно неоднородна как на возбуждаемой поверхности, так и по глубине кристалла. Предложен механизм действия поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.