Рассматривается система диполей с вырожденными ориентациями в n-мерном пространстве, которые случайно заполняют (с вероятностью c) узлы симметричной решетки. При точном учете анизотропных дальнодействующих дипольных взаимодействий в приближении среднего по конфигурациям заполнения самосогласованного поля рассчитывается фазовая T-c диаграмма ориентационных переходов из параэлектрической фазы в ферроэлектрическую и фазу дипольного стекла, а также диэлектрическая восприимчивость фазы дипольного стекла вблизи критической точки. Результаты конкретизируются для системы ОН-групп поверхности SiO₂ с треугольной решеткой адсорбционных центров. Отмечается высокая температура перехода (~300 K) в фазу дипольного стекла для этой системы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.