Выполнена симметрийная классификация колебательных состояний полупроводниковых сверхрешеток с квантоворазмерными гетероструктурами (GaAs)_m(AlAs)_n симметрия которых в зависимости от числа монослоев в примитивной ячейке (m+n) описывается двумя различными пространственными группами D⁵_2d (m+n=2k) и D⁹_2d (m + n=2k+1). С помощью зонных представлений пространственных групп установлено, в каких колебаниях участвуют атомы с различной позиционной симметрией в примитивной ячейке. Показано, что фононный спектр сверх решеток существенно перестраивается при изменении числа монослоев, поскольку размещение атомов в примитивной ячейке по позициям Уайкофа определяется конкретными значениями величин m и n. Получены общие формулы размещения атомов по позициям Уайкофа для произвольных m и n. Найдены критические точки функции плотности фононных состояний. Определены правила отбора для спектров комбинационного рассеяния света второго порядка для рассматриваемых типов сверхрешеток.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.