Исследованы спектрально-кинетические характеристики (временное разрешение до 5 пс) излучения кристаллов CdS (температура образцов T_L=80, 300 K) при интенсивном межзонном возбуждении (до 1.5 ГВт/см²) пикосекундными импульсами света. При мощности накачки S>10/20 МВт/см² (T_L=80 K) зарегистрировано образование в полупроводнике электронно-дырочной плазмы (ЭДП). Измерено характерное время релаксации излучения ЭДП при спонтанном (2 нс, T_L=80 K; 4 нс, T_L=300 K) и стимулированном (80 пс-1 нс, T_L=80 K; 0.4-1 нс, T_L=300 K) распадах. Зарегистрированы импульсы люминесценции с особой формой спадов - переходом от медленного уменьшения интенсивности излучения к быстрому, что объяснено конкуренцией двух процессов: остыванием ЭДП и ее рекомбинацией. Оценена константа квадратичного распада невырожденной ЭДП: C~ 4· 10^-10 см³·с^-1, T_L=80 K; C~ 4· 10^-11 см³·с^-1, T_L=300 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.