Вышедшие номера
Образование краевых дислокаций несоответствия в пленках GexSi1-x (x~ 0.4-0.5), выращенных на отклоненных подложках Si(001)->(111)
Болховитянов Ю.Б.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: bolkhov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Изучена дислокационная структура пленок GexSi1-x (x~0.4-0.5), выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si(001), отклоненных на 6o вокруг оси < 011>. Показано, что в направлении отклонения краевые дислокации несоответствия (ДН) возникают только в виде коротких отрезков на пересечениях 60o ДН. Как следствие, суммарная длина краевых ДН в направлении отклонения подложки становится меньше, чем в направлении оси отклонения. Отклонение подложки от сингулярной грани позволило обнаружить дислокационную конфигурацию, состоящую из короткого отрезка краевой ДН и расходящихся от него в направлении отклонения двух 60o ДН. Предполагается, что образование отрезка начинается с одновременного зарождения комплементарных дислокационных полупетель, образующих на границе раздела короткую краевую ДН и затем распространяющихся в одну сторону в виде двух расходящихся лучей 60o ДН. PACS: 61.72.Lk, 81.05.Cy, 81.15.-z