Издателям
Вышедшие номера
Образование краевых дислокаций несоответствия в пленках GexSi1-x (x~ 0.4-0.5), выращенных на отклоненных подложках Si(001)->(111)
Болховитянов Ю.Б.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: bolkhov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Изучена дислокационная структура пленок GexSi1-x (x~0.4-0.5), выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si(001), отклоненных на 6o вокруг оси < 011>. Показано, что в направлении отклонения краевые дислокации несоответствия (ДН) возникают только в виде коротких отрезков на пересечениях 60o ДН. Как следствие, суммарная длина краевых ДН в направлении отклонения подложки становится меньше, чем в направлении оси отклонения. Отклонение подложки от сингулярной грани позволило обнаружить дислокационную конфигурацию, состоящую из короткого отрезка краевой ДН и расходящихся от него в направлении отклонения двух 60o ДН. Предполагается, что образование отрезка начинается с одновременного зарождения комплементарных дислокационных полупетель, образующих на границе раздела короткую краевую ДН и затем распространяющихся в одну сторону в виде двух расходящихся лучей 60o ДН. PACS: 61.72.Lk, 81.05.Cy, 81.15.-z
  • D.C. Houghton, D.D. Perovic, J.-M. Baribeau, G.G. Weatherty. J. Appl. Phys. 67, 1850 (1990)
  • E.A. Fitzgerald, D.G. Ast. Appl. Phys. 63, 693 (1988)
  • V.Yu. Karasev, N.A. Kiselev, E.V. Orlova, M.A. Gribelyuk, A.K. Gutakovsky, Yu.O. Kanter, S.M. Pintus, S.V. Rubanov, S.I. Stenin, A.A. Fedorov. Ultramicroscopy 35, 11 (1991)
  • V.I. Vdovin. J. Cryst. Growth 172, 58 (1997)
  • E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
  • T.J. Gosling. J. Appl. Phys. 74, 5415 (1993)
  • R. Hull, J.C. Bean, D.J. Werder, R.E. Leibenguth. Phys. Rev. B 40, 1681 (1989)
  • D.C. Houghton. J. Appl. Phys. 70, 2136 (1991)
  • C.G. Tuppen, C.J. Gibbins. J. Appl. Phys. 68, 1526 (1990)
  • F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett. 72, 876 (1994)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 91, 4710 (2002)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников, Л.В. Соколов. ФТП 41, 1251 (2007)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.