Проведено исследование проводящих свойств ультратонких несплошных пленок аморфного висмута Bi толщиной ~10 Angstrem, полученных осаждением в высоком вакууме на охлажденную жидким гелием подложку. Исследованные пленки обладали прыжковой проводимостью, сильно зависящей от температуры T и приложенных напряжения V и перпендикулярного магнитного поля H. В пределе V-> 0 температурная зависимость сопротивления определялась выражением R(T)~exp(1/T)^1/2. С учетом зависимостей R (V) показано, что такая зависимость R(T) определяется, вероятнее всего, теорией Эфроса-Шкловского, учитывающей наличие кулоновской щели в плотности состояний электронов. При низких температурах (=<sssim 4 K) зависимости R(T,V,H) отражают конкуренцию сильной локализации электронов и сверхпроводимости, выражающуюся, в частности, в появлении минимума сопротивления при ~2 K. При T>~=4 K в режиме прыжковой проводимости наблюдалось заметное отрицательное магнитосопротивление, соответствующее выражению ln[R(H)/R(0)]~ -H²/T. Проведено обсуждение этих результатов с учетом современных теорий сильной локализации и прыжковой проводимости электронов в разупорядоченных и неоднородных проводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.