Издателям
Вышедшие номера
Процессы локализации в кристаллах CdS при контакте с SiO2 и электролитом
Григорьев Р.В., Григорьев С.Р., Калмыкова И.П., Коттхаус И., Новиков Б.В., Сикорский К.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

В кристаллах CdS находящихся в контакте с тонкой пленкой SiO2 или замороженным электролитом, обнаружена при 4.2 K новая полоса люминесценции примыкающая с длинноволновой стороны к области экситонной фотолюминесценции. Изучены зависимость спектрального положения полосы от интенсивности возбуждающего света и времени задержки, состояние поляризации, область возбуждения, форма полосы при селективном и зона-зонном возбуждении. Обсуждаются механизмы возникновения LS1-полосы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.