Вышедшие номера
Особенности температурного тушения люминесценции автолокализованного экситона в щелочно-галоидных кристаллах при низкотемпературной деформации 1
Шункеев К.1, Сармуханов Е.1, Бармина А.1, Мясникова Л.1, Сагимбаева Ш.1, Шункеев С.2
1Актюбинский государственный педагогический институт, Актобе, Казахстан
2University of Warwick, Warwick, U.K.
Email: shunkeev@rambler.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Экспериментально оценена энергия активации температурного тушения люминесценции автолокализованных экситонов в щелочно-галоидных кристаллах при низкотемпературной одноосной деформации. Обнаружено, что увеличение значения энергии активации наблюдается в ряду кристаллов KBr->NaCl->KI->NaBr->CsBr->RbI. На основании роста значения энергии активации, характеризующей высоту потенциального барьера, разделяющего излучательный и безызлучательный (с образованием радиационных дефектов) каналы распада автолокализованных экситонов, интерпретирован эффект усиления собственной люминесценции щелочно-галоидных кристаллов при понижении симметрии решетки низкотемпературной одноосной деформацией. PACS: 71.35.Aa, 71.38.-k, 78.20.Bh, 78.55.Fv