На вольт-амперных характеристиках Ni-контактов, разделенных тонким слоем SiО, при комнатной температуре обнаружены скачки тока при напряжениях, кратных 65 мВ, причем на "омических" участках кондактанс образцов близок к одной из величин nu(e²/h), где nu=p/q (p и q - целые числа).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.