Вышедшие номера
Акцепторно-донорные пары в бесщелевом полупроводнике HgTe
Аблязов Н.Н., Огородников В.К.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Предложена модель HgTe, которая позволяет количественно описать зависимость измеренной нами концентрации и подвижности электронов в широком интервале температур. Основная особенность модели --- присутствие большой, порядка 5·1017 см-3, концентрации коррелированных акцепторно-донорных пар, имеющих дырочный уровень энергии. Подвижность электронного газа определяется кулоновским рассеянием на заряженных центрах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.