Проведено теоретическое исследование плазменных волн, связанных с колебаниями электронов проводимости в примесном бесщелевом полупроводнике с инверсной зонной структурой типа n-HgTe при низких температурах. Показано, что специфика статического и динамического экранирования зарядов в бесщелевом полупроводнике, обусловленная особенностями его зонной структуры, приводит к качественно иной, чем в обычном полупроводнике, зависимости частоты плазмонов от температуры и концентрации электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.