Рассмотрены процессы термической ионизации и многофононной рекомбинации через глубокие примесные центры. Для описания состояний носителей использована многозонная модель короткодействующего потенциала, что впервые позволило вычислить сечения захвата электронов и дырок на один и тот же центр. Вычисления проведены на примере донорного A₁-состояния в полупроводниках А³В⁵. Результаты вычислений сопоставлены с экспериментальными данными по захвату электронов и дырок на уровень E L2 в GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.