Дан теоретический анализ релаксации фототока и поля в МДП структуре на основе высокоомного полупроводника в условиях однородной фотогенерации и рекомбинации при произвольном соотношении толщин полупроводника, диэлектрика и длины дрейфа электронов. Показано, что объемный характер релаксации поля находит отражение в особенностях формы кривых зарядного тока структуры, что позволяет по кинетике фототока судить о размерах возникающей при обедняющей полярности приложенного напряжения области пространственного заряда. Сопоставление с экспериментом, проведенным для кристаллов типа силленитов при комнатной температуре, облучении зеленым светом (lambda= 530/580 нм) в интервале напряженности поля 10⁴/10⁷ В/м показывает справедливость приведенного анализа. Определены длина дрейфа электронов в единичном поле и максвелловское время (при заданном уровне облучения) в кристалле Bi₁₂SiO₂₀.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.