Исследованы диэлектрические аномалии в резкоанизотропных квазиодномерных твердых электролитах. Показано, что при разумных параметрах в системе может произойти фазовый переход первого рода, связанный со скачкообразным нарастанием числа дипольных дефектов в одной из подрешеток кристалла ("плавлением" этой подрешетки). Скачок диэлектрической проницаемости вдоль главной оси кристалла deltavarepsilon^x при таком переходе существенно больше, чем скачок deltavarepsilon в исследованном ранее изотропном случае: deltavarepsilon^x~deltavarepsilon(u₀/T₀) (u₀ - энергия образования дефектов при T-> 0, T₀ - температура перехода, u₀/T₀>>1). Изменяется и температурная зависимость диэлектрической проницаемости вблизи T₀. В суперионной фазе может произойти сегнетоэлектрическое упорядочение дипольных моментов (в отличие от сегнетоэлектриков здесь при низких температурах кристалл находится в параэлектрическом состоянии, так как число дефектов мало). При этом реальна ситуация, когда переход параэлектрик-сегнетоэлектрик происходит при температурах выше T₀ в связи с нарастанием числа дефектов, и лишь затем происходит обратный переход в парафазу. Исследованы суперионные переходы во внешнем поле и показано, что относительное смещение температуры перехода в сильноанизотропных кристаллах, а также в кристаллах, где существенную роль играют близкодействующие силы, способствующие установлению сегнетоэлектрического порядка, значительно (примерно в deltavarepsilon раз) больше, чем в изотропных системах с чисто электростатическим взаимодействием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.