Показано, что уширение экситонных линий в полумагнитном полупроводнике определяется уходом рожденного светом экситона в состояния с большими квазиимпульсами при рассеянии на флуктуациях состава. Получены выражения для ширин экситонных линий. Проводится сравнение с экспериментальными результатами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.