Под воздействием излучения N_2- и XeCl-лазеров с интенсивностью I₀~5-10 МВт/см² в монокристаллах CdS и ZnSe распадаются комплексы с участием собственных дефектов решетки и образуются новые, которые оказывают слабое влияние на процессы излучательной рекомбинации при низких уровнях возбуждения люминесценции и превращаются в безызлучательные при достаточно высоких. При I₀>~=50 МВт/см² возникает плазма, происходит повреждение поверхности и образование на ней периодических структур. Изучено влияние электрического поля на люминесцентные свойства кристаллов CdS. Показано, что нагрев области облучения не превышает 100 K. Обсуждается влияние упругих напряжений и электрических полей на процессы дефектообразования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.