Установлено, что в кристаллах фенакита Be₂SiO₄ при облучении быстрыми нейтронами дозой свыше 6·10¹⁷ н·см^-2 эффективно генерируются агрегатные комплексы, представляющие собой дивакансии кислорода в кремнекислородной решетке Be₂SiO₄. Указанные дефекты создают центры оптического поглощения с lambda_max=250 нм и обусловливают возникновение рентгенолюминесценции с lambda_max=430 нм. Присутствие кислородных дивакансий существенно влияет на термическое упорядочение структуры отлученного Be₂SiO₄, инициируя эффект антиотжига моновакансий кислорода (E'-центры). Температурный интервал процессов отжига поверхностных вакансионных дефектов смещен приблизительно на 100 K в область низких температур по сравнению с аналогичным интервалом для объемных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.