Вышедшие номера
Примесные уровни в антиферромагнитных полупроводниках
Ирхин В.Ю., Кацнельсон М.И.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

В рамках s-d-обменной модели исследована температурная зависимость энергии мелких примесных уровней в антиферромагнитных полупроводниках. Имеются два вклада противоположного знака в температурную поправку к энергии активации delta E --- флуктуационный и связанный с уменьшением намагниченности подрешеток. Вклад спиновых флуктуаций приводит к увеличению delta E с ростом T, при этом его температурная зависимость меняется от T6 при самых низких T до линейной. Результирующая зависимость delta E(T) может иметь минимум. В антиферромагнитных полупроводниках с сильным s-d-обменом, где флуктуационные эффекты относительно менее существенны, энергия примесного уровня вычисляется в приближении среднего поля. В ферримагнитных полупроводниках зависимость delta E(T) качественно такая же, что и в ферромагнитных.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.