Зависимость температуры фазовых переходов в квазиодномерных проводниках от концентрации дефектов и давления
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.
Задача о фазовых переходах квазиодномерных кристаллов, стопки молекул в которых всегда разбиты дефектами на фрагменты конечной длины, сведена к решеточным моделям Изинга и XY-модели. Оценена критическая температура перехода кристаллов (TMTSF)2X в антиферромагнитное и сверхпроводящее состояние и обсуждена ее зависимость от давления и концентрации дефектов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.