Обнаружен линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) в субмиллиметровой области спектра в p-GaAs. Установлено, что в этом диапазоне поглощение света и ЛФГЭ связаны с непрямыми оптическими переходами с участием фононов. Рассмотрены сдвиговые и баллистические механизмы ЛФГЭ, связанные с поглощением света при непрямых оптических переходах. Показано, что в этом случае возникает анизотропное распределение неравновесных носителей по импульсу. Вычислен сдвиговый ток, обусловленный смещением дырок в реальном пространстве при непрямых переходах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.