Вышедшие номера
Особенности локализации экситонных состояний в кристаллах Cd1-xMnxTe
Букивский П.Н., Гнатенко Ю.П., Рожко А.X.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Исследованы температурные зависимости (T=1.8-50 K) энергетического положения экситонных полос отражения и люминесценции для кристаллов Сd1-xMnxTe (x=<0.20). Показано, что в области T=<sssim10 K при x<=0.05 коротковолновое смещение полосы экситонного отражения связано с уменьшением эффективной концентрации ионов Мn2+, принимающих участие в обменном взаимодействии с носителями, связанными в экситон, в результате образования антиферромагнитных кластеров ионов Мn2+, а длинноволновое смещение полосы излучения локализованных экситонов при x> 0.10 - с проявлением эффекта магнитного полярона, который заметно усиливается в слабом внешнем магнитном ноле. Обнаружено сильное влияние интенсивности лазерного возбуждения (P=<1 Вт/см2) и внешнего магнитного поля (H=2.0 кЭ) на температурную зависимость энергетического положения полосы излучения локализованных экситонов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.