Исследованы особенности коалесцентного распада тонких пленок (0.05-0.1 мкм) Au-Ge (Ge до 5 вес.%) в процессе формирования невыпрямляющих контактов малых размеров к полупроводникам типа А³В⁵. Образцы изготавливались следующим образом. Поверхность полупроводника (GaAs, InP) покрывалась слоем окиси кремния, в котором затем с помощью фотолитографии вскрывались контактные окна, обнажающие поверхность полупроводника. Далее на поверхность полученной структуры методом термического испарения в вакууме осаждались пленки металла. Показано, что в интервале температур 570-690 K происходит частичный перенос материала пленки с поверхности SiO₂ на вскрытые участки полупроводника и коалесценция металлической пленки на SiO₂ вплоть до полного распада на изолированные островки, что объясняется различием коэффициентов термического расширения для исследуемых материалов: золота, окиси кремния и полупроводника. Показана возможность получения изолированных контактов заданной формы и малых размеров, в частности, омических контактов к n-InP площадью ~50 мкм² и с малым переходным сопротивлением.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.