Проведены рентгеновские исследования искажений ГЦК решетки в ряде твердых растворов полупроводников группы А⁴В⁶, в которых ожидается появление низкотемпературных фазовых переходов (ФП). В образцах Рb_0.8Sn_0.2Те и РbТе_0.95S_0.05 не обнаружено никаких искажений решетки при T>100 K. Показано, что введение примесей In и S в твердый раствор Pb_1-xGe_xТе понижает температуру T_c сегнетоэлектрического ФП O⁵_h-> C⁵_3v. Изучено влияние замещения Te->Se на ФП в Pb_1-xGe_xTe: в Pb_0.92Ge_0.08Te_1-ySe_y обнаружено немонотонное изменение температуры T_c и температурного коэффициента угла ромбоэдрического искажения dalpha/dT с составом y. Эти явления объяснены влиянием случайных деформационных и квазиэлектрических полей на упорядочение дипольных моментов нецентральных атомов Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.