Вышедшие номера
Фотолюминесценция и ЭПР пористого кремния, сформированного на n+- и p+-монокристаллах, легированных ионной имплантацией бора или фосфора
Демидов Е.С.1, Рассолова И.С.1, Горшков О.Н.1, Васильев В.К.1, Марычев М.О.1, Михайлов А.Н.1, Тетельбаум Д.И.1, Филиппов С.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: demidov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.

С применением ионной имплантации фосфора и бора изучено влияние совместного легирования мелкими донорными и акцепторными примесями на усиление квантового выхода фотолюминесценции (ФЛ) пористого кремния (ПК) в видимом и примыкающем к видимому ИК-диапазоне излучения. Неоднородное легирование образцов с последующим окислительным отжигом производилось до и после формирования ПК на сильно легированных до уровня ~1019 cm-3 мышьяком или бором монокристаллах кремния. Содержание известных Pb-центров безызлучательной рекомбинации контролировалось с применением электронного парамагнитного резонанса. Показано, что существует оптимальное совместное содержание мелких доноров и акцепторов, обеспечивающее максимум интенсивности ФЛ вблизи красного участка спектра видимого света. Согласно оценкам, квантовый выход ФЛ в переходном n++-p+- или p++-n+-слое ПК возрастает на два порядка по сравнению с ПК, сформированном на кремнии без ионного облучения. Работа выполнена при поддержке программы Рособразования (проект РНП 2.1.1 4022). PACS: 76.30.-v, 76.30.Kg, 78.55.-m, 78.55.Mb, 78.67.Bf