Издателям
Вышедшие номера
КР активные мягкие моды в слоистых полупроводниках TlInS2 и TlGaSe2
Кульбужев Б.С., Рабкин Л.М., Торгашев В.И., Юзюк Ю.И.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в слоистых полупроводниках TlInS2 и TlGaSe2. Обнаружено аномальное поведение низкочастотных спектров, соответствующих alphaxx- и alphayy-компонентам тензора поляризуемости. Результаты указывают на существование в TlInS2 двух временных масштабов, соответствующих центральному пику и боковой компоненте с частотой 30-40 см-1. Последняя имеет заметную температурную зависимость ниже 150 K. Температурная эволюция низкочастотного спектра TlGaSe2 отличается от TlInS2 тем, что ниже фазового перехода вблизи 106 K, релаксационное крыло рэлеевской линии быстро приобретает характер резонансной линии. Обсуждаются варианты пространственных групп, согласующихся с полученными результатами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.