Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в слоистых полупроводниках TlInS₂ и TlGaSe₂. Обнаружено аномальное поведение низкочастотных спектров, соответствующих alpha_xx- и alpha_yy-компонентам тензора поляризуемости. Результаты указывают на существование в TlInS₂ двух временных масштабов, соответствующих центральному пику и боковой компоненте с частотой 30-40 см^-1. Последняя имеет заметную температурную зависимость ниже 150 K. Температурная эволюция низкочастотного спектра TlGaSe₂ отличается от TlInS₂ тем, что ниже фазового перехода вблизи 106 K, релаксационное крыло рэлеевской линии быстро приобретает характер резонансной линии. Обсуждаются варианты пространственных групп, согласующихся с полученными результатами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.