В кристаллах n-РbТе исследована зависимость степени циркулярной поляризации и интегральной интенсивности люминесценции от мощности накачки при двухфотонном возбуждении циркулярно-поляризованным светом СO₂-лазера. В рамках двухуровневой модели, учитывающей спины носителей заряда и фотонов, показано, что наблюдающиеся в режиме устойчивой генерации высокие степени циркулярной поляризации рекомбинационного излучения связаны с индуцированными процессами перекачки спина из системы носителей заряда в систему фотонов. Установлено, что поляризация люминесценции вызвана оптической ориентацией дырок, определена концентрация и электронная температура возбужденных носителей заряда. Оценено время спиновой релаксации дырок и начальное значение их среднего спина на генерационных уровнях. Обсуждается возможный механизм спиновой релаксации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.