Издателям
Вышедшие номера
Влияние дислокаций на оптические и фотоэлектрические свойства арсенида галлия
Багдуев Э.Г., Шихсаидов М.Ш.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

При исследовании фотоэлектрических свойств пластически деформированных кристаллов арсенида галлия было обнаружено явление оптического гашения (ОГ) фотопроводимости (ФП). Изучение спектральной зависимости ОГ ФП показало, что введение дислокаций приводит к появлению в запрещенной зоне кристалла новых электронных состояний. Их положение, определенное из спектров ОГ ФП, соответствует результатам оптических измерений, где при исследовании фотолюминесценции GaAs с дислокациями были обнаружены две новые полосы излучения с энергиями E1~36 эВ и E2~0.72 эВ. Анализ экспериментально полученных данных позволяет предположить дислокационную природу отмеченных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.