При исследовании фотоэлектрических свойств пластически деформированных кристаллов арсенида галлия было обнаружено явление оптического гашения (ОГ) фотопроводимости (ФП). Изучение спектральной зависимости ОГ ФП показало, что введение дислокаций приводит к появлению в запрещенной зоне кристалла новых электронных состояний. Их положение, определенное из спектров ОГ ФП, соответствует результатам оптических измерений, где при исследовании фотолюминесценции GaAs с дислокациями были обнаружены две новые полосы излучения с энергиями E₁~36 эВ и E₂~0.72 эВ. Анализ экспериментально полученных данных позволяет предположить дислокационную природу отмеченных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.