Исследовалась низкотемпературная краевая люминесценция (НКЛ) кристаллов InSb n- и p-типа с N_D+N_A=<sssim10¹⁴ см³ при T=2/40 K в магнитном поле H=0/80 кЭ. Обнаружена линейная структура НКЛ (до 10 максимумов). Анализ зависимостей от H, T, J позволяет связать природу линий с рекомбинационным излучением диамагнитного экситона, экситон-примесных комплексов (ЭПК) D⁰X, в том числе на глубоких донорах, с прямой рекомбинацией электрона на нейтральном акцепторе, рекомбинацией на A⁺-центре, и с излучением при взаимодействии свободных и связанных экситонов. Наблюдается возгорание в магнитном поле фононного повторения рекомбинационного излучения диамагнитного экситона. Обнаруженная немонотонная зависимость интенсивности линий от H соответствует теоретической для ЭПГ, а диамагнитный сдвиг соответствующих линий находит объяснение через модель псевдоакцептора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.