Вышедшие номера
Критическое магнитное поле Hc2 и рассеяние электронов в MgB2
Шабанова Н.П.1, Красносвободцев С.И.1, Варлашкин А.В.1, Ноздрин В.С.1, Головашкин А.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: shaban@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.

Исследована корреляция верхнего критического магнитного поля Hc2 и остаточного удельного сопротивления rho соединения MgB2 в широком диапазоне величин rho. С ростом остаточного сопротивления вплоть до 100 muOmega·cm наблюдалось устойчивое повышение наклона -dHc2/dT температурной зависимости Hc2 вблизи Tc. В диапазоне от 0 до 50 muOmega·cm зависимость -dHc2/dT от rho хорошо аппроксимировалась линейной функцией, как для однозонного сверхпроводника. При аппроксимации использовались электронные параметры двух зон - pi и sigma, образующих поверхность Ферми. Величина Hc2 считалась зависящей только от электронных параметров sigma-зоны. В данном приближении оценены вклад sigma-электронов в суммарную проводимость вдоль плоскостей бора, составивший примерно 1/2, отношение длин пробега электронов sigma-зоны и pi-зоны lsigma/lpi~1.5, а также соотношение ряда других параметров, характеризующих рассеяние. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-17660). PACS: 74.25.Fy, 74.25.Op