Вышедшие номера
Особенности пироэлектрических свойств реальных монокристаллов RbTiOPO4 в интервале 4.2-300 K
Шалдин Ю.В.1, Matyjasik S.2, Tseitlin M.3, Roth M.4
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
2International Laboratory of High Magnetics Fields and Low Temperatures, 53-421 Wroclaw, Poland
3Research Institute College Judea and Samaria, Ariel, Israel
4School of Applied Science, Hebrew University Jerusalim, Jerusalim, Israel
Email: yuri1999@rambler.ru
Поступила в редакцию: 20 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

В области температур от 4.2 до 300 K измерены пироэлектрические свойства образцов раствор-расплавных монокристаллов RbTiOPO4, вырезанных из различнх секторов роста. По данным экспериментов при 280 K установлен значительный разброс величин коэффициентов от -1.3 до -4.6· 10-5 C/m2·K. На образцах из сектора (100) при 85 и 275 K обнаружены четко выраженные аномалии, которые, на наш взгляд, могут быть обусловлены вкладом ассоциатов, образованных координационными тетраэдрами PO4 (1) и PO4 (2) с участием междоузельного рубидия Rbi. Во всех исследованных образцах при T>280 K начинает проявляться суперионная проводимость, что свидетельствует о распаде дипольных комплексов с повышением температуры. По данным измерений пироэлектрического коэффициента и двупреломления вдоль полярного направления рассчитана спонтанная поляризация титанила рубидия, которая оказалась равной 0.5 C/m2 при 250 K и сравнимой по величине со спонтанной поляризацией танталата лития. PACS: 77.70.+a, 77.84.-s
  1. M.H. Satynanayan, A. Deepthy, H.L. Blat. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 24, 2, 103 (1999)
  2. Н.И. Сорокина, В.И. Воронкова. Кристаллография 51, 1067 (2006)
  3. M. Roth, E. Samoka, V. Tseitlin, Yu. Shaldin, M. Rabadanov, S. Matyjasik. 4th Int. Symp. on Laser, Scintilator and Linears Mater. Prague, Czech. Republic (2006). P. 59
  4. S. Furusawa, H. Hayasi, Y. Ishibashi, A. Miyamoto, T. Sasaki. J. Phys. Soc. Jap. 62, 183 (1993)
  5. M. Roth, N. Angert, M. Tseitlin, А. Александровский. Opt. Mater. 16, 131 (2000)
  6. J. Tordjman, R. Masse, J.C. Guitel. Z. Kristallographie 139, 103 (1974)
  7. P. Delarue, C. Lacomte, M. Jannin, G. Marnien, B. Menaer. Phys. Rev. B 58, 5287 (1998)
  8. Ю.В. Шалдин, S. Matyjasik, М.Х. Рабаданов, N. Angert, M. Roth, M. Tseitlin. ФТТ 48, 858 (2006)
  9. Я.А. Схоутен. Тензорный анализ для физиков. Наука, М. (1965). 456 с
  10. Ю.В. Шалдин. ФТТ 19, 1580 (1977)
  11. Ю.В. Шалдин, С. Матыясик, М.Х. Рабаданов. Кристаллография 48, 350 (2003)
  12. Ю.В. Шалдин, С. Матыясик. ДАН 409, 467 (2006)
  13. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с
  14. S. Norberg, N. Ishizawa. Acta Cryst. 61, 199 (2005)
  15. Yu.V. Shaldin, R. Poprawski. J. Phys. Chem. Sol. 51, 101 (2000)
  16. Ю.В. Шалдин, Р. Поправски, С. Матыясик, В.В. Дозмаров, В.А. Дьяков. ФТТ 37, 1160 (1995)
  17. P. Urenski, G. Rosenman. J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 2006 (2000)
  18. J.D. Bierlein, H. Vanherzeelle. J. Opt. Soc. Am. B 6, 622 (1989)
  19. M. Wang, J.Y. Wang, Y.G. Lin, J.Q. Wei. Ferroelectrics 115, 113 (1991)
  20. Ю.В. Шалдин, S. Matyjasik, М.Х. Рабаданов и др. Тез. докл. XI Нац. конф. по росту кристаллов. М. (2004). P. 303
  21. N. Angert, L. Kaplun, M. Tseitlin, E. Yashchin, M. Roth. J. Cryst. Growth 137, 116 (1994)
  22. Ю.В. Шалдин. Кристаллография 47, 531 (2002)
  23. А. Брус, Р. Каули. Структурные фазовые переходы. Мир, М. (1984). С. 407
  24. A.P. Levanyuk, A.S. Sigow. Defects and structural phase transitions. Gordon and BSP, N.Y. (1998). P. 208
  25. M. Born, K. Huang. Dinamical theory of crystal lattics. Claredon Press, Oxford (1954). P. 327
  26. И.Е. Тамм. Основы теории электричества. Наука, М. (1976). 616 с
  27. S. Abrahams, S. Kurts, P. Jamienson. Phys. Rev. 172, 551 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.