Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства и перенос заряда в (TlInSe2)0.1(TlGaTe2)0.9 на постоянном и переменном токе
Мустафаева С.Н.1, Асадов М.М.2, Джаббаров А.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Приведены экспериментальные результаты изучения температурной и частотной зависимостей проводимости на постоянном и переменном токе, дисперсии диэлектрических коэффициентов выращенных монокристаллов твердого раствора (TlInSe2)0.1(TlGaTe2)0.9. Установлены природа диэлектрических потерь, прыжковый механизм переноса заряда, оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и длина прыжков носителей заряда, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе.
  • S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 2, 142 (1995)
  • Э.М. Керимова, С.Н. Мустафаева, А.Б. Магеррамов. Неорган. материалы. 33, 11, 1325 (1997)
  • С.Н. Мустафаева, Ш.Г. Гасымов, Э.М. Керимова, М.М. Асадов. ФТТ 54, 1, 43 (2012)
  • S.N. Mustafaeva, Sh.G. Gasymov, E.M. Kerimova, M.M. Asadov. J. Phys. Chem. Solids 72, 6, 657 (2011)
  • А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. ФТТ 53, 3, 443 (2011)
  • S.S. Abdinbekov, G.D. Guseinov. Bull. Soc. Chim. France 3, 355 (1986)
  • А.У. Шелег, Е.М. Зуб, А.Я. Ячковский, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Кристаллография 57, 2, 332 (2012)
  • А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук 1, 106 (2012)
  • С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.И. Джаббаров, Э.М. Керимова. Конденсированные среды и межфазные границы 15, 2, 150 (2013)
  • С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004)
  • Н. Мотт, Е. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических материалах. Мир, М. (1974). 472 с
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 351 c
  • M. Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971)
  • В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.