Вышедшие номера
Диэлектрические свойства и перенос заряда в (TlInSe2)0.1(TlGaTe2)0.9 на постоянном и переменном токе
Мустафаева С.Н.1, Асадов М.М.2, Джаббаров А.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Приведены экспериментальные результаты изучения температурной и частотной зависимостей проводимости на постоянном и переменном токе, дисперсии диэлектрических коэффициентов выращенных монокристаллов твердого раствора (TlInSe2)0.1(TlGaTe2)0.9. Установлены природа диэлектрических потерь, прыжковый механизм переноса заряда, оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и длина прыжков носителей заряда, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе.
  1. S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 2, 142 (1995)
  2. Э.М. Керимова, С.Н. Мустафаева, А.Б. Магеррамов. Неорган. материалы. 33, 11, 1325 (1997)
  3. С.Н. Мустафаева, Ш.Г. Гасымов, Э.М. Керимова, М.М. Асадов. ФТТ 54, 1, 43 (2012)
  4. S.N. Mustafaeva, Sh.G. Gasymov, E.M. Kerimova, M.M. Asadov. J. Phys. Chem. Solids 72, 6, 657 (2011)
  5. А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. ФТТ 53, 3, 443 (2011)
  6. S.S. Abdinbekov, G.D. Guseinov. Bull. Soc. Chim. France 3, 355 (1986)
  7. А.У. Шелег, Е.М. Зуб, А.Я. Ячковский, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Кристаллография 57, 2, 332 (2012)
  8. А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук 1, 106 (2012)
  9. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.И. Джаббаров, Э.М. Керимова. Конденсированные среды и межфазные границы 15, 2, 150 (2013)
  10. С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004)
  11. Н. Мотт, Е. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических материалах. Мир, М. (1974). 472 с
  12. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 351 c
  13. M. Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971)
  14. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.