Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двухзонная проводимость Si₃N₄

Новиков Ю.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: nov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 28 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически изучена кинетика накопления заряда в структуре металл-нитрид кремния-оксид кремния-полупроводник. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными. Для согласия теории с экспериментом в расчетах необходимо учитывать одновременно как перенос электронов, так и перенос дырок. Расчеты предсказывают, что сечение захвата носителей на ловушки должно быть менее 10^-14 сm².

Yu.N. Novikov. The FLASH Memory Based on Silicon Nitride (SONOS). Nova Publisher, N.Y. (2011). P. 35
Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, К.А. Насыров. Письма в ЖЭТФ 89, 599 (2009)
Yu.N. Novikov. J. Appl. Phys. 113, 024 109 (2013)
K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko, M.K. Kim, H.S. Chae, S.D. Chae, W.I. Ryu, J.H. Sok, J.W. Lee, B.M. Kim. IEEE Electron Device Lett. 23, 336 (2002)
P.C. Arnett, B.H. Yan. Appl. Phys. Lett. 26, 94 (1975)
F.L. Hampton, J.R. Cricchi. Appl. Phys. Lett. 35, 802 (1979)
S. Manzini. J. Appl. Phys. 62, 3278 (1987)
К.А. Насыров, В.А. Гриценко. ЖЭТФ 139, 1172 (2011)
Y.C. Jeon, H.Y. Lee, S.K. Joo. J. Appl. Phys. 75, 979 (1993)
K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko, Yu.N. Novikov, E.-H. Lee, S.Y. Yoon, C.W. Kim. J. Appl. Phys. 96, 4293 (2004)
Г.В. Гадияк, М.С. Обрехт, С.П. Синица. Микроэлектроника 14, 512 (1985)
H. Bachhofer, H. Reisinger, E. Bertagnolli. J. Appl. Phys. 89, 2791 (2001)
К.А. Насыров, Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, C.Ю. Юн, Ч.В. Ким. Письма в ЖЭТФ 77, 455 (2003)
Z.A. Weinberg. Appl. Phys. Lett. 29, 617 (1976)
В.А. Гриценко, Е.Е. Меерсон. Микроэлектроника 12, 580 (1983)
V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B 57, R2081 (1997)
S.D. Tzeng, S. Gwo. J. Appl. Phys. 100, 023 711 (2006)
S.S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B 25, 6406 (1982)
V.A. Gritsenko, H. Wong, J.B. Xu, R.M. Kwok, I.P. Petrenko, B.A. Zaitsev, Yu.N. Morokov, Yu.N. Novikov. J. Appl. Phys. 86, 3234 (1999)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982), 660 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель