Временная динамика примесной фотопроводимости в n-GaAs и n-InP
Алешкин В.Я.1,2, Бурдейный Д.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: aleshkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
Вычислена динамика примесной фотопроводимости в n-GaAs и n-InP при фотовозбуждении коротким световым импульсом. Показано, что динамика фотопроводимости в наносекундном интервале времен определяется процессами остывания электронов, а роль каскадного захвата электронов на примесь незначительна в этом интервале. Предсказана немонотонная зависимость фотопроводимости от времени, обусловленная конкуренцией между различными механизмами релаксации импульса электрона. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 13-02-00404).
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. СПб (1997). 375 c
- S.D. Ganichev, W. Raab, E. Zepezauer, W. Prettl, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B 55, 9243 (1997)
- В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. Наука, M. (1984). 351 c
- А.Ф. Полупанов. ФТП 11, 2044 (1977)
- Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. Наука, M. 1977. C. 67
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
