Вышедшие номера
Переключение намагниченности ферромагнетика электрическим полем (Обзор)
Морозов А.И.1
1Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Россия
Email: mor-alexandr@yandex.ru
Поступила в редакцию: 13 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Рассмотрены возможные пути и проблемы создания магниторезистивной памяти с записью электрическим полем. Показано, что наиболее перспективна память на основе компенсированного среза мультиферроика BiFeO3. Малые величины слабого ферромагнитного момента и линейного магнитоэлектрического эффекта в BiFeO3 не являются препятствием для ее реализации. Представляет интерес память, переключаемая с помощью индуцируемых слоем пьезоэлектрика упругих напряжений, в которой используется наличие бистабильности намагниченности ферромагнитного слоя. Работа частично поддержана Минобрнауки России, проект 2.2775.2011 и РФФИ, проект офи-м2 13-02-12425.
  1. R. Thomas, J.S. Scott, D.N. Bose, R.S. Katiyar. J. Phys.: Cond. Matter 22, 423 201 (2010)
  2. J. Hu, Z. Li, J. Wang, C-W. Nan. J. Appl. Phys. 107, 093 912 (2010)
  3. J. Ma, J. Hu, Z. Li, C-W. Nan. Adv. Mater 23, 1062 (2011)
  4. А.П. Пятаков, А.К. Звездин. УФН 182, 593 (2012)
  5. G. Catalan, J.F. Scott. Adv. Matter 21, 2463 (2009)
  6. G. Lawes, G. Srinivasan. J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 243 001 (2011)
  7. I. Sosnowska, T.P. Neumaier, E. Steichele. J. Phys. C: Solid State Phys. 15, 4835 (1982)
  8. F. Bai, J. Wang, M. Wutting, J.F. Li, N. Wang, A.P. Pyatakov, A.K. Zvezdin, L.E. Cross, D. Viehland. Appl. Phys. Lett. 86, 032 511 (2005)
  9. И.Е. Дзялошинский. ЖЭТФ 32, 1547 (1957)
  10. T. Moriya. Phys. Rev. B 120, 91 (1960)
  11. В.С. Покатилов, А.С. Сигов, В.В. Покатилов, А.О. Коновалова. Изв. РАН. Сер. физ. 74, 1166 (2010)
  12. P. Uniyal, K.L. Yadav. J. Phys.: Cond. Matter 21, 012 205 (2009)
  13. J.A.M. Cagigas, D.S. Candela, E. Bagio-Saitovitch. J. Phys.: Conf. ser. 200, 012 134 (2010)
  14. В.С. Покатилов, В.В. Покатилов, А.С. Сигов. ФТТ 51, 518 (2009)
  15. C. Ederer, N.A. Spaldin. Phys. Rev. B 71, 060 401 (R) (2005)
  16. M. Ramazanoglu, M. Laver, W. Ratcliff II, S.M. Watson, W.C. Chen, A. Jackson, K. Kothapalli, S. Lee, S.-W. Cheong, V. Kiryukhin. Phys. Rev. Lett. 107, 207 206 (2011)
  17. А.И. Морозов, А.С. Сигов. ФТТ 54, 209 (2012)
  18. А.И. Морозов, А.С. Сигов. Нано- и микросистемная техника 10, 10 (2012)
  19. N.C. Koon. Phys. Rev. Lett. 78, 4865 (1997)
  20. А.И. Морозов. ФТТ 45, 1847 (2003)
  21. M.B. Holcomb, L.W. Martin, A. Scholl, Q. He, P. Yu, C.-H. Yang, S.Y. Yang, P.-A. Glans, M. Valvidares, M. Huijben, J.B. Kortright, J. Guo, Y.-H. Chu, R. Ramesh. Phys. Rev. B 81, 134 406 (2010)
  22. Y.-H. Chu, L.W. Martin, M.B. Holcomb, M. Gajek, S.-J. Han, Q. He, N. Balke, C.-H. Yang, D. Lee, W. Hu, Q. Zhan, P.-L. Yang, A. Fraile-Rodriguez, A. Scholl, S.X. Wang, R. Ramesh. Nature Mater. 7, 478 (2008)
  23. J.T. Heron, M. Trassin, K. Ashraf, M. Gajek, Q. He, S.Y. Yang, D.E. Nikonov, Y-H. Chu, S. Salahuddin, R. Ramesh. Phys. Rev. Lett. 107, 217 202 (2011)
  24. S.M. Wu, S.A. Cybart, D. Yi, J.M. Parker, R. Ramesh, R.C. Dynes. Phys. Rev. Lett. 110, 067 202 (2013)
  25. Д.Л. Винокуров, А.И. Морозов. ФТТ 55, 2135 (2013)
  26. Д.Л. Винокуров. Нано- и микросистемная техника N 4 (2014)
  27. D.Y. Qiu, K. Ashraf, S. Salahuddin. Appl. Phys. Lett. 102, 112 902 (2013)
  28. C. Bilzer, T. Devolder, J.-V. Kim, G. Counil, C. Chappert. J. Appl. Phys. 100, 053 903 (2006)
  29. J. Jeong, E. A. Goremychkin, T. Guidi, K. Nakajima, G.S. Jeon, S.-A. Kim, S. Furukawa, Y.B. Kim, S. Lee, V. Kiryukhin, S-W. Cheong, J.-G. Park. Phys. Rev. Lett. 108, 077 202 (2012)
  30. K. Ashraf, S. Salahuddin. J. Appl. Phys. 111, 103 904 (2012)
  31. M. Lane, Y.-H. Chu, M. Holcomb, M. Huijben, P. Yu, S.-J. Han, D. Lee, S. Wang, R. Ramesh. Nano Lett. 8, 2050 (2008)
  32. P. Yu, J.-S. Lee, S. Okamoto, M.D. Rossell, M. Huijben, C.-H. Yang, Q. He, J.X. Zhang, S.Y. Yang, M.J. Lee, Q.M. Ramasse, R. Erni, Y.-H. Chu, D.A. Arena, C.-C. Kao, L.W. Martin, R. Ramesh. Phys. Rev. Lett. 105, 027 201 (2010)
  33. N.A. Pertsev. Phys. Rev. B 78, 212 102 (2008)
  34. J.-M. Hu, C.W. Nan. Phys. Rev. B 80, 224 416 (2009)
  35. J.-M. Hu, C.W. Nan, L.-Q. Chen. Phys. Rev. B 83, 134 408 (2011)
  36. A. Brandlmaier, S. Geprags, M. Weiler, A. Boger, M. Opel, H. Huebl, C. Bihler, M.S. Brandt, B. Botters, D. Grundler, R. Gross, S.T.B. Goennenwein. Phys. Rev. B 77, 104 445 (2008)
  37. M. Weiler, A. Brandlmaier, S. Geprags, M. Althammer, M. Opel, C. Bihler, H. Huebl, M.S. Brandt, R. Gross, S.T.B. Goennenwein. New J. Phys. 11, 013 021 (2009)
  38. S. Polisetty, W. Echtenkamp, K. Jones, X. He, S. Sahoo, Ch. Binek. Phys. Rev. B 82, 134 419 (2010)
  39. A. Brandlmaier, S. Geprags, G. Woltersdort, R. Gross, S.T.B. Goennenwein. J. Appl. Phys. 110, 043 913 (2011)
  40. R.V. Chopdekar, V.K. Malik, A.F. Rodriguez, L. Le Guyader, Y. Takamura, A. Scholl, D. Stender, C.W. Schneider, C. Bernhard, F. Nolting, L.J. Heyderman. Phys. Rev. B 86, 014 408 (2012)
  41. M. Buzzi, R.V. Chopdekar, J.L. Hockel, A. Bur, T. Wu, N. Pilet, P. Warnicke, G.P. Carman, L.J. Heyderman, F. Nolting. Phys. Rev. Lett. 111, 027 204 (2013)
  42. N. Tiercelin, V. Preobrazhensky, V. Mortet, A. Talbi, A. Soltani, K. Haenen, P. Penrod. J. Magn. Magn. Mater. 321, 1803 (2009)
  43. T. Wu, A. Bur, K. Wong, P. Zhao, C.S. Lynch, P.K. Aminri, K.L. Wang, G.P. Carman. Appl. Phys. Lett. 98, 262 504 (2011)
  44. T.X. Nan, Z.Y. Zhou, J. Lou, M. Liu, X. Yang, Y. Gao, S. Rand, N.X. Sun. Appl. Phys. Lett. 100, 132 409 (2012)
  45. S. Zhang, Y.G. Zhao, P.S. Li, J.J. Yang, S. Rizwan, J.X. Zhang, J. Seidel, T.L. Qu, Y.J. Yang, Z.L. Luo, Q. He, T. Zou, Q.P. Chen, J.W. Wang, L.F. Yang, Y. Sun, Y.Z. Wu, X. Xiao, X.F. Jin, J. Huang, C. Gao, X.F. Han, R. Ramesh. Phys. Rev. Lett. 108, 137 203 (2012)
  46. Д.А. Филиппов, Г. Сринивасан. Вест. новгородского гос. ун-та 46, 56 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.