Вышедшие номера
Исследование сегнетоэлектрического фазового перехода в кристалле DKDP методом низкочастотного комбинационного рассеяния света
Малиновский В.К.1, Пугачев А.М.1, Суровцев Н.В.1
1Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: lab21@iae.nsk.su
Поступила в редакцию: 9 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Низкочастотные спектры комбинационного рассеяния света (КРС) сегнетоэлектрического кристалла DKDP изучены в температурном диапазоне 30-393 K. При температурах выше 150 K в спектрах КРС проявляется центральный пик, отражающий релаксационную восприимчивость кристаллической решетки. Из экспериментальных спектров определены ширина и интегральная интенсивность центрального пика. Критическое замедление времени релаксационного отклика, предсказываемое теорией Гинзбурга-Ландау-Девоншира, наблюдается во всем температурном интервале, где регистрируется центральный пик. Однако интегральная интенсивность не следует предсказанию теории, проявляя резкую температурную зависимость в сегнетофазе и более плавную - в парафазе. Показано, что термоактивационный закон хорошо описывает температурную зависимость интенсивности центрального пика. Предложена интерпретация, в рамках которой интенсивность флуктуаций параметра порядка связана с активационным барьером, высота которого пропорциональна отклонению от температуры фазового перехода. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 06-02-16172) и Фонда междисциплинарных исследований СО РАН. PACS: 77.80.Bh, 63.70.+h, 77.84.Dy, 78.30.-j
  1. Light scattering near phase transition / Eds H.Z. Cummins, A.P. Levanyuk. North-Holland, Amsterdam (1983). [Рассеяние света вблизи точек фазовых переходов / Под ред. Г.З. Камминза, А.П. Леванюка. Наука, М. (1990). 413 с.]
  2. M.E. Lines, A.M. Glass. Principles and application of ferroelectrics and related materials. Clarendon Press, Oxford (1977). [М.Е. Лайнс, А.М. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с.]
  3. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1983). 240 с
  4. N.V. Surovtsev, A.M. Pugachev, V.K. Malinovsky, A.P. Shebanin, S. Kojima. Phys. Rev. B 72, 104 303 (2005)
  5. Н.В. Суровцев, А.М. Пугачев, В.К. Малиновский. ФТТ 48, 1030 (2006)
  6. А.Г. Кузнецов, В.К. Малиновский, Н.В. Суровцев. ФТТ 48, 2190 (2006)
  7. K.I. White, W. Taylor, R.S. Katiyar, S.M. Kay. Phys. Lett. 33 A, 175 (1970)
  8. R.L. Reese, I.J. Fritz, H.Z. Cummins. Phys. Rev. B 7, 4165 (1973)
  9. E. Litov, E. Uehling. Phys. Rev. B 1, 3713 (1970)
  10. R.M. Hill, S.K. Ichiki. Phys. Rev. 130, 150 (1963)
  11. G.L. Paul, W. Cochran, W.J. Buyers, R.A. Cowley. Phys. Rev. B 2, 4603 (1970)
  12. G.A. Samara. Ferroelectrics 5, 25 (1973)
  13. Y. Tominaga, Y. Kawahata, Y. Amo. Solid State Commun. 125, 419 (2003)
  14. Физика сегнетоэлектрических явлений / Под ред. Г.А. Смоленского. Наука, Л. (1985). 396 с
  15. T. Huser, C.W. Hollars, W.J. Siekhaus, J.De Yoreo, T.I. Suratwala, T. Land. Appl. Spectroscopy 58, 349 (2004)
  16. V.H. Shmidt, E.A. Uehling. Phys. Rev. 126, 447 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.