Вышедшие номера
О переходе заряда в системе однолистный графен--металлический интеркалированный слой-SiC-субстрат
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Предлагаемая схема рассмотрения перехода заряда в трехслойной системе Gr/Me/SiC (Gr --- однолистный графен, Me --- металлический интеркалированний слой, SiC --- подложка) содержит три этапа. На первом этапе рассматривается металлический монослой, адсорбированный на карбиде кремния, и вычисляется заряд адатомов этого монослоя. На втором этапе оценивается сдвиг точки Дирака свободного однослойного графена в электростатическом поле, формируемом заряженными адатомами монослоя. На третьем этапе включается слабое взаимодействие между Me/SiC и свободным графеном, позволяющее электронам туннелировать, но не искажающее существенно плотность состояний свободного графена. Оценки проводились для подложек 6H-SiC(0001) n- и p-типов и слоев Cu, Ag и Au. Вычислялось зарядовое состояние графенового листа и сдвиг точки Дирака относительно уровня Ферми системы. Сопоставление с имеющимися экспериментальными и теоретическими результатами показывает, что предлагаемая схема работает вполне удовлетворительно. Работа выполнена в рамках программ Президиума РАН "Квантовая физика конденсированных сред" и "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов" и поддержана грантами РФФИ (проекты NN 11-02-00662а и 12-02-00165а).
  1. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009)
  2. C. Riedel, C. Coletti, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Phys. Rev. Lett. 103, 246 804 (2009)
  3. B. Lee. S. Han, Y.-S. Kim. Phys. Rev. B 81, 075 432 (2010)
  4. J. Soltys, J. Pechota, V. Lopuszynski, S. Krukowski. arXiv: 1002.4717
  5. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. Письма в ЖТФ 36, 18, 55 (2010)
  6. F. Hiebel, P. Mallet, J.-Y. Veuillen, I. Magaud. arXiv: 1102.3798
  7. F. Speck, J. Jobst, F. Fromm, M. Ostler, D. Waldmann, M. Haudhausen, H.B. Weber, Th. Seyller. arXiv: 1103.3997
  8. S. Goler, C. Coletti, V. Pellegrini, K.V. Emtsev, U. Starke, F. Beltram, S. Heum. arXiv: 1111.4918
  9. C. Coletti, K.V. Emtsev, A.A. Zakharov, T. Ouisse, D. Chaussende, U. Starke. Appl. Phys. Lett. 99, 081 904 (2011)
  10. I. Deretzis, A. La Magna. arXiv: 1110.0604
  11. S. Kopylov, V.I. Fal'kov, T. Seyller. arXiv: 1107.4769
  12. C. Virojanadara, S. Watcharinyanon, A.A. Zakharov, L.I. Johansson. Phys. Rev. B 82, 205 402 (2010)
  13. I. Giertz, T. Suzuki, R.T. Weitz, D.S. Lee, B. Krauss, C. Riedl, U. Starke, H. Hochst, J.H. Smet, C.R. Ast, K. Kem. Phys. Rev. B 81, 235 408 (2010)
  14. C.-H. Hsu, W.-H. Lin, V. Ozolins, F.-C. Chuang. Appl. Phys. Lett. 100, 063 115 (2012)
  15. A.L. Walter, K.-J. Jeon, A. Bostwick, F. Speck, M. Ostler, T. Seyller, L. Moreschini, Y.S. Kim, Y.J. Chang, K. Horn, E. Rotenberg. Appl. Phys. Lett. 98, 184 102 (2011)
  16. C. Xia, S. Watcharinyanon, A.A. Zakharov, R. Yakimova, L. Hultman, L.I. Johansson, C. Virojanadara. Phys. Rev. B 85, 045 418 (2012)
  17. K.V. Emtsev, A.A. Zakharov, C. Coletti, S. Forti, U. Starke. Phys. Rev. B 84, 125 423 (2011)
  18. S. Oida, F.R. McFeely, J.B. Hannon, R.M. Tromp, M. Copel, Z. Chen, Y. Sun, D.B. Farmer, J. Yurkas. Phys. Rev. B 82, 041 411 (R) (2010)
  19. Проблемы высокотемпературной проводимости / Под ред. В.Л. Гинзбурга, Д.А. Киржница. Наука, М. (1977). 400 с
  20. K. Emtsev, S. Forti, A. Zakharov, C. Coletti, U. Starke. Electronic spectrum and structure of an epitaxial grapheme superlattice on SiC. To be published
  21. С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ 49, 1508 (2007)
  22. С.Ю. Давыдов. ФТП 41, 718 (2006)
  23. W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
  24. J.W. Gadzuk. Phys. Rev. B 1, 2110 (1970)
  25. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  26. D.M. Newns. Phys. Rev. 178, 1123 (1969)
  27. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Т. 1. Мир, М. (1983). 381 с
  28. W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 3592 (1983)
  29. Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел. Наука, М. (1967). 492 с
  30. С.Ю. Давыдов. ФТП 46, 204 (2012)
  31. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ 37, 2749 (1995)
  32. C.H. Park, B.-H. Cheong, K.-H. Lee, K.J. Chang. Phys. Rev. B 49, 4485 (1994)
  33. О.М. Браун, В.К. Медведев. УФН 157, 631 (1989)
  34. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978). 792 с
  35. С.Ю. Давыдов. ФТТ 20, 1752 (1978)
  36. С.Ю. Давыдов. ФММ 47, 481 (1979)
  37. С.Ю. Давыдов. ФТТ 21, 2283 (1979)
  38. С.Ю. Давыдов. ФТТ 54, 1619 (2012)
  39. С.Ю. Давыдов. ФТП 31, 1236 (1997)
  40. M. Dion, H. Rydberg, E. Schroder, D.C. Langreth, B.I. Lundqvist. Phys. Rev. Lett. 92, 246 401 (2004)
  41. T. Thonhauser, R. Cooper, S. Li, A. Puzder, P. Hyldgaard, D.C. Langreth. Phys. Rev. B 76, 125 112 (2007)
  42. D.C. Langreth, B.I. Lundqvist, S.D. Chakarova-Kack, V.R. Cooper, M. Dion, P. Hyldgaard, A. Kelkkanen, J. Kleis, L. Kong, S. Li, P.G. Moses, E. Murray, A. Puzder, H. Ridberg, E. Schroder, T. Thonhauser. J. Phys.: Cond. Matter 21, 084 203 (2009)
  43. I. Hamada, M. Otani. Phys. Rev. B 82, 153 412 (2010)
  44. M. Vanin, J.J. Mortensen, A.K. Kelkkanen, J.M. Garcia-Lastra, K.S. Thygsen, K.W. Jacobson. arXiv: 0912.3078
  45. R. Brako, D. Sokcevic, P. Lazic, N. Atodirest. arXiv: 1006.1280
  46. Z.Y. Li, S. Qiao, Z.Q. Yang, R.Q. Wu. arXiv: 1008.0696
  47. T. Olsen, J.J. Mortensen, K.S. Thugsten. Phys. Rev. Lett. 107, 156 401 (2011)
  48. A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett. 99, 076 802 (2007)
  49. K.T. Chan, L.B. Neaton, M.L. Cohen. Phys. Rev. B 77, 235 430 (2008)
  50. С.Ю. Давыдов. ФТП 47, 97 (2013)
  51. С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. ФТТ 53, 608 (2011)
  52. S.Y. Davydov. Appl. Surf. Sci. 140, 52 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.