Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Концентрационная модель фазовых переходов полупроводник-металл в SmS

Каминский В.В.¹, Васильев Л.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 4 сентября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены модельные расчеты, объясняющие механизм фазового перехода полупроводник-металл в SmS. Использовалась несколько модифицированная модель, основанная на методах, применявшихся ранее для объяснения концентрационного механизма пьезосопротивления и термовольтаического эффекта в SmS. Полученные устойчивые расчетные результаты для величины давления фазового перехода при всестороннем сжатии (P_c~700 MPa при T=300 K) позволяют сделать вывод о том, что определяющим величину P_c фактором является наличие 4f-уровней ионов самария и их возбужденных состояний. Предложенная модель носит универсальный характер и применима также для расчета параметров других эффектов в SmS, связанных с моттовскими переходами и сопровождающихся коллективной делокализацией носителей заряда. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 07-08-00289) и ООО "Эс эм эс-тензо" (Санкт-Петербург). PACS: 71.35.Lk, 70.30.+h

A. Jayaraman, V. Narayanamurti, E. Bucher, R.G. Maines. Phys. Rev. Lett. 25, 1430 (1970)
Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ш. Лани. ФТТ 39, 577 (1997)
В.В. Каминский, В.А. Капустин, И.А. Смирнов. ФТТ 22, 3568 (1980)
С.И. Гребинский, В.В. Каминский, А.В. Рябов, Н.Н. Степанов. ФТТ 24, 1874 (1982)
В.В. Каминский, Л.Н. Васильев, М.В. Романова, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 997 (2001)
Л.Н. Васильев, В.В. Каминский. ФТТ 36, 1172 (1974)
V. Zelezny, J. Petzelt, V.V. Kaminski, M.V. Romanova, A.V. Golubkov. Solid State Commun. 72, 43 (1989)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Наука, М. (1978). 615 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель