Исследованы кинетические коэффициенты на монокристаллических образцах полупроводниковых сплавов n-Bi_1-xSb_x (0.07=<q x=<q 0.15), легированных теллуром, в температурном интервале 1.5=<q T=<q 40 K и в магнитных полях 0=<q H<20 kOe. Согласно теории, развитой в работе, наблюдаемые на эксперименте особенности поведения кинетических коэффициентов в магнитном поле обусловлены сильной анизотропией электронного спектра и анизотропией времени релаксации электронов. Выяснено, что теоретические зависимости кинетических коэффициентов от магнитного поля при H|| C₃ выражаются с помощью одного параметра анизотропии delta, а при H|| C₂ - с помощью нескольких параметров анизотропии: gamma,eta,xi и m₃/m₁. Установлено, что в полупроводниковых сплавах n-Bi-Sb параметр анизотропии delta можно оценить из измерений в магнитном поле при H|| C₃ удельного сопротивления rho₂₂(бесконечность)/rho₂₂(0)=~delta и коэффициента Холла R_12.3(бесконечность)/R_12.3(H->0)=~delta. Показано, что наблюдаемый рост термоэлектрической эффективности в 1.5-2 раза в поперечных слабых магнитных полях при H|| C₃ и H|| C₂ обусловлен немонотонной зависимостью диффузионной составляющей термоэдс Deltaalpha₂₂(H) ( T|| C₁) от магнитного поля. Немонотонная зависимость диффузионной термоэдс в полупроводниковых сплавах n-Bi-Sb связана с сильной анизотропией электронного спектра, анизотропией времени релаксации электронов и наличием многодолинности. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта ведущих научных школ N НШ-5596.2006.2. PACS: 72.20.Pa, 72.20.My, 72.20.Dp

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.