Издателям
Вышедшие номера
Аномалии электрических характеристик Si/Si1-xGex-гетероструктур с транспортным электронным каналом в слоях Si
Орлов Л.К.1, Horvath Z.J.2, Орлов М.Л.1, Лончаков А.Т.3, Ивина Н.Л.1, Dobos L.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Исследуются особенности электрофизических характеристик упруго-напряженных Si/Si1-xGex (x<0.2) плоскослоистых гетерокомпозиций со структурой модуляционно-легированного полевого транзистора. Амплитуда узкой (~6 nm) квантовой потенциальной ямы в Si-слое предположительно сопоставляется с амплитудой флуктуационого потенциала, обусловливающего появление наномасштабных неоднородностей в Si-канале. Рассматриваемые структуры характеризуются при изменении плотности электронов в Si-канале фазовым переходом от диэлектрического к металлическому типу проводимости. В магнитотранспортных измерениях структуры с металлическим типом проводимости демонстрируют проявление отрицательного магнитосопротивления (ОМС) как для продольного, так и для поперечного направления магнитного поля относительно протекающего по структуре тока. Анализ магнетополевой зависимости показал доминирующий вклад в ОМС эффекта слабой локализации. Особенности проявлялись и в электрических измерениях диодных характеристик исследуемых структур. В частности, на вольт-фарадных характеристиках структур наблюдались хорошо выраженные резонансные особенности, возможно связанные с существованием в двумерной неоднородной пленке наряду с двумерными носителями заряда также одномерных и квазинульмерных включений. Настоящая работа выполнялась в рамках программы совместных научных исследований, проводимых между Российской и Венгерской академиями наук (проект N 15) и при частичной поддержке РФФИ (N 01-02-16778). Образцы выращивались при финансовой поддержке ИНТАС (Ref. No: 96-0580). PACS: 73.40.-с, 73.40.Lq
  1. X.G. Peralta, S.J. Allen, M.C. Wanke, N.E. Harff, G.A. Simmons, M.P. Lilly, J.L. Reno, P.J. Burke, J.P. Eisenstein. Appl. Phys. Lett. 81, 1627 (2002)
  2. Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, В.Г. Шенгуров. Письма в ЖЭТФ 67, 794 (1998)
  3. А.А. Кастальский, А.Х. Хусаинов. ФТП 4, 1198 (1970)
  4. L.K. Orlov, N.L. Ivina, N.A. Alyabina, B.N. Zvonkov, E.S. Demidov. Phys. Stat. Sol. (c), 195, 981 (2003)
  5. J.L. Shi, L.K. Nanver, K. Grimm, C.C.G. Visser. Thin Solid Films 364, 254 (2000)
  6. L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii. Proc. ISCS-23. Inst. of Phys. Publishing, Bristol and Philadelphia 155, 205 (1997)
  7. Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, V. Ralovics, N.L. Ivina, A.L. Toth, E.S. Demidov, F. Reisz, V.I. Vdovin, Z. Paszti. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 27, 189 (2004)
  8. L.K. Orlov, S.V. Ivin, A.V. Potapov, T.N. Smyslova, L.M. Vinogradsky, Z.J. Horvath. Microelectronics J. 36, 518 (2005)
  9. В.М. Пудалов. УФН 168, 227 (1998)
  10. D.J. Bishop, D.C. Tsui, R.C. Dynes. Phys. Rev. Lett. 44, 1153 (1980)
  11. H. van Houten, B.J. Wees, M.G.J. Heijman, J.P. Andre. Appl. Phys. Lett. 49, 1781 (1986)
  12. J. Lam, M. D'Iorio, D. Brown, H. Lafontaine. Phys. Rev. B 56, R12 741 (1997)
  13. V.M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer. Письма в ЖЭТФ 68, 497 (1998)
  14. E.B. Olshanetsky, V. Renard, Z.D. Kvon, J.C. Portal, N.J. Woods, J. Zhang, J.J. Harris. Phys. Rev. B 68, 085 304 (2003)
  15. G. Scappucci, L.Di. Gaspare, F. Evangelisti, E. Giovine, A. Notargiacomo, R. Leoni, V. Piazza, P. Pingue, F. Beltram. Phys. Rev. B 71, 245 311 (2005)
  16. K. Lai, W. Pan, D.C. Tsui, S.A. Lyon, M. Muhlberger, F. Schaffler. Phys. Rev. B 72, 081 313 (2005)
  17. M.M. Rieger, P. Vogl. Phys. Rev. B 48, 14 276 (1993)
  18. А.А. Быков, А.К. Бакаров, А.В. Горан, Н.Д. Аксенова, А.В. Попова, А.И. Торопов. Письма в ЖЭТФ 78, 165 (2003)
  19. P. Sutter, D. Groten, E. Muller, M. Lenz, H. von Kanel. Appl. Phys. Lett. 67, 3954 (1995)
  20. B. Podor, G. Kovacs, G. Remenyi. Proc. I Int. Workshop on Semicond. Nanocrystals. SEMINANO 2005, Sept. 10--12, Budapest, Hungary, 2, 337 (2005)
  21. И.М. Цидильковский. Переходы металл--диэлектрик в магнитном поле. УрО РАН, Екатеринбург (2000) 286 с
  22. G.M. Minkov, A.V. Germanenko, V.A. Larionova, S.A. Negashev, I.V. Gornyi. Phys. Rev. B 61, 13 164 (2000)
  23. B.L. Altshuler, D.E. Khmelnitsky, A.I. Larkin, P.A. Lee. Phys. Rev. B 20, 5142 (1980)
  24. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, Б.З. Спивак. Письма ЖЭТФ 33, 515 (1981)
  25. Л.К. Орлов, Zs.J. Horvatz, А.В. Потапов, М.Л. Орлов, С.В. Ивин, В.И. Вдовин, Э.А. Штейнман, В.М. Фомин. ФТТ 46, 2069 (2004)
  26. А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, М.М. Рзаев, Н.А. Пенин, Н.Н. Сибельдин. Изв. АН. Сер. физ. 63, 312 (1999)
  27. J.F. Chen, J.S. Wang, P.Y. Wang, H.Z. Wong. Appl. Phys. Lett. 75, 1092 (1999)
  28. О.В. Константинов, Т.В. Львова, М.М. Паханов. ФТП 23, 1283 (1989)
  29. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин М.Н. Буянова, Б.Н. Звонков, А.В. Мурель. ФТП 33, 1246 (1999)
  30. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 1281 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.