Особенности формирования пленок иттербия на поверхности Si(111) при комнатной температуре
Бутурович Д.В., Кузьмин М.В., Логинов М.В., Митцев М.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
С помощью методов контактной разности потенциалов, электронной Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов и термодесорбционной спектроскопии исследованы процессы, сопровождающие формирование пленок иттербия на поверхности Si(111) при комнатной температуре. Показано, что растущие пленки металла однородны по толщине и что растворение атомов Si в них практически отсутствует. Установлено, что ограниченная диффузия атомов кремниевой подложки в металлическую пленку Yb может происходить только при облучении поверхности первичными пучками высокоэнергетических электронов, применяемых в методе электронной Оже-спектроскопии. На основании полученных результатов сделан вывод, что наблюдавшиеся нами ранее размерные осцилляции работы выхода в тонкопленочных структурах Yb-Si(111) не могут быть обусловлены растворением атомов кремния в осаждаемой пленке иттербия. Работа выполнена при поддержке Санкт-Петербургского научного центра РАН. PACS: 73.30.+y, 73.21.-b, 68.55.-a
- Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 48, 2085 (2006)
- G. Rossi, J. Nogami, I. Lindau, L. Braicovich, I. Abbati, U. del Pennino, S. Nannarone. J. Vac. Sci. Technol. A 1, 781 (1983)
- I. Chorkendorff, J. Kofoed, J. Onsgaard. Surf. Sci. 152/153, 749 (1984)
- L. Braicovich, I. Abbati, C. Carbone, J. Nagami, I. Lindau. Surf. Sci. 168, 193 (1986)
- C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, U.O. Karlsson. J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1942 (1991)
- R. Hofmann, W.A. Henle, F.P. Netzer, M. Neuber. Phys. Rev. B 46, 3857 (1992)
- Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 1672 (1997)
- Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 256 (1997)
- T.V. Krachino, M.V. Kuz'min, M.V. Loginov, M.A. Mittsev. Appl. Surf. Sci. 182, 115 (2001)
- В.Н. Агеев, Е.Ю. Афанасьева, Н.Р. Галль, С.Н. Михайлов, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Поверхность 5, 7 (1987)
- Handbook on Simiconductors. V. 2. Optical properties of semiconductors / Ed. M. Balkanski. Elsevier, Amsterdam, The Netherlands (1994). 857 p
- K. Takayanagi, Y. Tanishiro, M. Takahashi, S. Takahashi. J. Vac. Sci. Technol. A 3, 1502 (1985); Surf. Sci. 164, 367 (1985)
- R. Smoluchowski. Phys. Rev. 60, 661 (1941)
- W. Monch. Springer-Verlag series in surface science. V. 22. Semiconductor surfaces and interfaces. Berlin--Heidelberg (1993). 366 p
- R. Kern, G. LeLay, J.J. Metois. Current topic in material science. V. 3. Basic mechanisms in the early stages of epitaxy / Ed. E. Kaldis. North-Holland (1979). P. 131
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
