Вышедшие номера
Спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSe и их связь с технологией изготовления
Виноградов В.С.1, Карчевски Г.2, Кучеренко И.В.1, Мельник Н.Н.1, Фернандес П.3
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
3Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de Madrid, Madrid, Spain
Email: vvs@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Изучены спектры комбинационного рассеяния света в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe, ZnTe, CdSе, полученных методами молекулярно-лучевой эпитаксии, коллоидной химии и микроразмалывания. Во всех спектрах наблюдались локализованные продольные фононы. По зависимости частоты локализованного фонона от толщины барьера ZnTe в сверхрешетках квантовых точек CdTe/ZnTe восстановлена дисперсионная зависимость продольного фонона в ZnTe. Спектры комбинационного рассеяния света ансамблей коллоидных квантовых точек отличаются от остальных отсутствием полос теллура, а также значительной интенсивностью полосы продольного фонона CdTe. Выявлена зависимость спектров от технологии изготовления структур с квантовыми точками. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 07-02-00899-a). PACS: 78.67.Hc, 78.40.Fy