Пленки (40 nm)La_0.67Ba_0.33MnO₃ выращены квазикогерентно на поверхности подложки (001)NdGaO₃, орторомбическое искажение элементарной ячейки которой составляет ~1.4%. Сжимающие двухосные механические напряжения в процессе зародышеобразования и роста обусловили уменьшение объема элементарной ячейки выращенных слоев, что в свою очередь явилось причиной понижения (~35 K) температуры максимума на зависимости их электросопротивления rho от температуры. При T<150 K rho пленок возрасло пропорционально rho₂T^4.5, а коэффициент rho₂ приблизительно линейно убывал с ростом напряженности магнитного поля H. Максимальные значения отрицательного магнетосопротивления (~-0.17, при mu₀H=1 T) наблюдались при температурах, близких к комнатной. Реакция rho пленок (40 nm)La_0.67Ba_0.33MnO₃ на магнитное поле зависела от кристаллографического направления в пленке, вдоль которого оно направлено, и от угла между H и I (I - электрический ток в пленке). Финансовая поддержка данных исследований была частично получена из проекта NMP3-CT-2006-033191 Европейской рамочной программы FP6. PACS: 73.43.Qt, 73.50.-h

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.