Влияние типа и концентрации легирующей примеси на динамику бета-индуцированного изменения микротвердости кремния
Головин Ю.И.1, Дмитриевский А.А.1, Сучкова Н.Ю.1
1Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов, Россия
Email: dmitr2002@tsu.tmb.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
Исследовано влияние типа и концентрации легирующей примеси (P, Sb, B) на динамику преобразования подсистемы структурных (собственных и радиационных) дефектов кремния в условиях низкоинтенсивного электронного облучения. Предложена качественная модель формирования комплексов вторичных радиационных дефектов, ответственных за максимумы бета-индуцированного разупрочнения монокристаллов кремния. Работа выполнена в рамках Приоритетного национального проекта "Образование" Министерства образования и науки РФ, а также при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 06-02-96321 и 06-02-96316). PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss
- Springer handbook of nanotechnology / Ed. B. Bhushan. Springer (2004). 1222 p
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности. Наука, М. (1990). С. 212
- J. Lalita, B.G. Svensson, C. Jagadish, A. Hallen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 127/128, 69 (1997)
- G. Golan, E. Rabinovich, A. Inberg, A. Axelevitch, M. Oksman, Y. Rosenwaks, A. Kozlovsky, P.G. Rancoita, M. Rattaggi, A. Seidman, N. Croitoru. Microelectronics Reliability 39, 1497 (1999)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова. ФТТ 48, 262 (2006)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова, М.Ю. Толотаев. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования 4, 12 (2007)
- М.В. Бадылевич, И.В. Блохин, Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, С.В. Карцев, Н.Ю. Сучкова, М.Ю. Толотаев. ФТП 40, 1409 (2006)
- А.В. Васильев. ФТП 6, 603 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.