Рассмотрен процесс переориентации директора в жидких кристаллах смектического типа с сегнетоэлектрическими свойствами в случае, когда взаимодействие молекул жидкого кристалла с поверхностью приводит к частичной раскрутке геликоидальной структуры жидкого кристалла, а переориентация происходит за счет движения доменных границ. Определены зависимости скорости движения доменных границ от напряженности и частоты изменения электрического поля, граничных условий, спонтанной поляризации и вязкости жидкого кристалла. Показано, что увеличение частоты изменения электрического поля или полярной части энергии сцепления и спонтанной поляризации жидкого кристалла при неизменной частоте поля приводит к увеличению скорости движения доменных границ. Как следствие этого, время электрооптического отклика жидкого кристалла в слабых электрических полях (от 0.4 до 2 V/mum) уменьшается более чем в 3 раза. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 07-02-00785) и РАН (программа "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники"). PACS: 42.70.Df, 61.30.Eb, 77.80.Dj, 78.20.Jq

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.