Вышедшие номера
Формирование буферного слоя субоксидов кремния SiOx в низкоразмерной гетеросистеме Si/SiO2 после имплантации ионами Si+: рентгеновские Si L2,3-эмиссионные спектры
Зацепин Д.А.1,2, Панин Е.А.2, Kaschieva S.3, Fitting H.-J.4, Шамин С.Н.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
3Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, Bulgaria
4Department of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
Email: d_zatsepin@ifmlrs.uran.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Представлены результаты исследования методом рентгеновской L2,3-эмиссионной (электронный переход Si 3d3s->Si 2p1/2,3/2) спектроскопии низкоразмерных гетеронаноструктур n-Si/SiO2 с различной толщиной оксидной пленки (20 и 500 nm) после имплантации ионами Si+ с энергиями 12 и 150 keV. Для гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 20 nm выявлена и изучена ионно-лучевая модификация интерфейсной границы. Анализ рентгеновских Si L2,3-эмиссионных спектров показал, что имплантация ионами Si+ приводит к самоупорядочению структуры изначально аморфной 20 nm пленки SiO2 вследствие эффекта больших доз. Предложен механизм ионно-лучевой модификации границы раздела фаз диэлектрик-полупроводник. В случае гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 500 nm существенной перестройки атомной и электронной структуры после ионной имплантации обнаружено не было. Работа выполнена в рамках Соглашения о сотрудничестве между Российской академией наук и Болгарской академией наук, а также при поддержке гранта Исследовательского совета Президента Российской Федерации НШ 1929.2008.2. PACS: 61.72.uf, 62.23.Eg, 73.20.At, 78.70.En
  1. Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники. Техносфера, М. (2007). 352 с
  2. Д.А. Зацепин, Е.С. Яненкова, Э.З. Курмаев, В.М. Черкашенко, С.Н. Шамин, С.О. Чолах. ФТТ 48, 204 (2006)
  3. S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov, Jr., V.V. Shchennikov, Y.S. Ponosov, I.V. Antonova, S.V. Smirnov. Physica B 403, 3424 (2008)
  4. B.L. Oksengendler, N.N. Turaeva. Rad. Effects Defects Solids 162, 69 (2007)
  5. V.I. Sugakov. Lectures in synergetics. World Scientivic, Singapore (1998). 207 p
  6. S. Gangopadhaya, G.C. Hadjipanayis, S.I. Shan, C.M. Sorensen, K.J. Klabunde, V. Papaefthymiou, A. Kostikas. J. Appl. Phys. 70, 5888 (1991)
  7. Э.З. Курмаев, В.М. Черкашенко, Л.Д. Финкельштейн. Рентгеновские спектры твердых тел. Наука, М. (1988). 162 с
  8. D.A. Zatsepin, V.R. Galakhov, B.A. Gizhevskii, E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, A.A. Samokhvalov, S.V. Naumov. Phys. Rev. B 59, 211 (1999)
  9. R.G. Wilks, E.Z. Kurmaev, J.C. Pivin, A. Hunt, M.V. Yablonskikh, D.A. Zatsepin, A. Mowes, S. Shin, P. Palade, G. Principi. J. Phys.: Cond. Matter 17, 7023 (2005)
  10. Д.А. Зацепин, Э.З. Курмаев, И.Р. Шеин, В.М. Черкашенко, С.Н. Шамин, С.О. Чолах. ФТТ 49, 72 (2007)
  11. Д.А. Зацепин, И.Р. Шеин, Э.З. Курмаев, В.М. Черкашенко, С.Н. Шамин, Н.А. Скориков, A.D. Yadav, S.K. Dubey. ФТТ 50, 142 (2008)
  12. Д.А. Зацепин, В.С. Кортов, Э.З. Курмаев, Н.В. Гаврилов, R. Wilks, A. Moewes. ФТТ 50, 2225 (2008)
  13. Y. Ishikawa, N. Shibata, S. Fukatsu. Thin Solid Films 294, 227 (1997)
  14. R. Salh, A. von Czarnowski, H.-J. Fitting. J. Non-Cryst. Solids. 353, 546 (2007)
  15. K. Kutsuki, T. Ono, K. Hirose. Sci. Technol. Adv. Mater. 8, 204 (2007)
  16. H.-J. Fitting, T. Barfels, A.N. Trukhin, B. Schmidt, A. Gulans, A. von Czarnowski. J. Non-Cryst. Solids 303, 218 (2002)
  17. E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, S.N. Shamin, A.V. Postinikov, G. Wiech, Y. Kim. Phys. Scripta 41, 288 (1992)
  18. E.Z. Kurmaev, V.R. Galakhov, S.N. Shamin. Critical Rev. Solid State Mater. Sci. 23, 65 (1998)
  19. R.S. Crisp. J. Phys. F 13, 1325 (1983)
  20. J. Klima. J. Phys. C 3, 70 (1970)
  21. K. Hirose, H. Nohira, K. Azuma, T. Hattori. Progr. Surf. Sci. 82, 3 (2007)
  22. А.Ф. Зацепин, С. Касчиева, Д.Ю. Бирюков, С.Н. Дмитриев, Е.А. Бунтов. ЖТФ 79, 2, 155 (2009)
  23. В.А. Гриценко. УФН 178, 727 (2008)
  24. G.S. Chang, K.H. Chae, C.N. Whang, E.Z. Kurmaev, D.A. Zatsepin, R.P. Winarski, D.L. Ederer, A. Moewes, Y.P. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 522 (1999)
  25. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, M.D. Ziegler. The stopping and range of ions in matter. Electronic manual for SRIM-program, www.srim.org/SRIM Book.htm

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.