Вышедшие номера
Формирование и оптические свойства полупроводниковых нанокристаллов CdSSe в матрице силикатного стекла
Ушаков В.В.1, Аронин А.С.2, Караванский В.А.3, Гиппиус А.А.1
1Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3Центр естественно-научных исследований Института общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: ushakov@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Определены технологические режимы, обеспечивающие формирование в матрице силикатного стекла полупроводниковых кристаллитов CdSxSe1-x размером 2-8 nm. По мере увеличения температуры формирующего отжига их размер увеличивается без изменения кристаллической структуры и состава. Коротковолновый сдвиг края оптического поглощения свидетельствовал о влиянии размерного квантования на энергетическую структуру нанокристаллов. Интенсивная люминесценция образцов представляет излучательные переходы с участием дефектов на интерфейсе полупроводниковый нанокристалл-силикатная матрица либо внутренних дефектов нанокристаллов. Работа выполнена по проекту РФФИ 06-02-16987-а. PACS: 68.37.Lp, 78.55.Kz, 78.67.Bf, 81.07.Bc
  1. U. Woggon. In: Springer tracks in madern physics. Springer, Berlin (1997). V. 136. P. 251
  2. G. Franzo, V. Vinciguerra, F. Priolo. Appl. Phys. A 69, 3 (1999)
  3. D. Pacifici, G. Franzo, F. Priolo, F. Icona, L. Dal Negro. Phys. Rev. B 67, 245 301 (2003)
  4. В.А. Караванский, В.В. Ушаков, А.Г. Турьянский, И.В. Пиршин, Т.Н. Заварицкая, Н.Н. Мельник, А.А. Гиппиус. Крат. сообщ. по физике (ФИАН) 12, 3 (2005)
  5. D.V. Langer, Y.S. Park, R.N. Euwema. Phys. Rev. 152, 788 (1966)
  6. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП 16, 7, 1209 (1982)
  7. N.F. Borelli, D.W. Hall, H.J. Holland, D.W. Smith. J. Appl. Phys. 61, 5399 (1987)
  8. P. Roussingol, D. Ricard, J. Lukasik, C. Flytzanis. Opt. Soc. Am. B 4, 5 (1987)
  9. Y. Wang, A. Suna, J. Mc Hugh, E.F. Hilinski, P.A. Lucas, R.D. Johnson. J. Chem. Phys. 92, 6927 (1990)
  10. Н.В. Бондарь, М.С. Бродин, Г.М. Тельбиз. ФТП 40, 962 (2006)
  11. H. Wang, Y. Zhu, P.P. Ong. J. Appl. Phys. 90, 964 (2001)
  12. Д.Т. Свиридов, Р.К. Свиридова, Ю.Ф. Смирнов. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. Наука, М. (1976)
  13. V.V. Ushakov, A.A. Gippius. J. Cryst. Growth 101, 458 (1990)
  14. A.A. Gippius, V.V. Ushakov, V.N. Yakimkin, V.S. Vavilov. Nucl. Instrum. Meth. B 39, 492 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.