Вышедшие номера
Проявление гетерогенного механизма при плавлении малоразмерных систем
Громов Д.Г.1, Гаврилов С.А.1
1Московский институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
Email: gromov@optolink.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Анализируется процесс плавления, которое в полубесконечных системах, обладающих поверхностью, всегда является гетерогенным. С позиции классической термодинамики показано, что в реальных однокомпонентных системах слой жидкости на поверхности твердой фазы образуется при температурах, меньших справочной температуры плавления объемного материала, при которой происходит полное расплавление системы. В зависимости от температуры жидкий слой определенной толщины на поверхности находится в равновесии со всей остальной кристаллической фазой. Показано, что гетерогенное плавление влияет на ряд процессов и механизмов, таких как распад тонкой пленки на капли, механизм эпитаксии пар--жидкость--твердое состояние, механизм послойного роста кристаллов, механизм роста углеродных нанотрубок. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-03-32744-a, 05-08-01508-a, 06-08-00780-a). PACS: 61.46.-w, 61.46.Fg, 64.70.D-, 65.40.gp, 68.08.-p, 68.35.Md, 68.55.A-, 68.60.Dv, 68.65.-k
  1. А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Физматлит, М. (2005). 416 с
  2. Ю.Ф. Комник. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты. Атомиздат, М. (1979). 264 с
  3. А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Нанокристаллические материалы. Физматлит, М. (2001). 224 с
  4. И.П. Суздалев. Нанотехнология: физикохимия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. КомКнига, М. (2006). 592 с
  5. Р.А. Андриевский, А.В. Рагуля. Наноструктурные материалы. Академия, М. (2005). 180 с
  6. U. Tartaglino, T. Zykova-Timan, F. Ercolessi, E. Tosatti. Phys. Rep. 411, 291 (2005)
  7. P. Muller, R. Kern. Surf. Sci. 529, 59 (2003)
  8. Я.Е. Гегузин. Физика спекания. Наука, М. (1984). 311 с
  9. Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев. ЖФХ 79, 1578 (2005)
  10. Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, А.В. Климовицкая, Р.М. Аммосов. ЖФХ 80, 1856 (2006)
  11. Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М. Аммосов. ФТТ 49, 172 (2007)
  12. С.С. Белоусов, С.А. Гаврилов, Д.Г. Громов, Е.Н. Редичев, И.С. Чулков. Изв. вузов. Электроника 1, 15 (2007)
  13. В.И. Ролдугин. Физикохимия поверхности. Интеллект, Долгопрудный (2008). 568 с
  14. V.M. Dubin. Method for filling high aspect ratio openings of an integrated circuit to minimize electromigration failure. Patent USA N6077780 (2000). 8 p
  15. В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела. Изд-во МГУ, М. (1999). 287 с
  16. R.M. Goodman, H.H. Farrell, G.A. Somorjai. J. Chem. Phys. 48, 1046 (1968)
  17. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  18. Дж. Эмсли. Элементы. Мир, М. (1993). 256 с
  19. B. Pluis, A.W. Denier van der Gon, J.F. van der Veen. Surf. Sci. 239, 265 (1990); Y. Shigeta, Y. Fukaya. Appl. Surf. Sci. 237, 21 (2004)
  20. J.W. Cahn. J. Chem. Phys. 66, 3667 (1977)
  21. J.W. Cahn. J. Phys. 43, 6 (1982)
  22. A.A. Chernov, L.V. Mikheev. Physica A 157, 1042 (1989)
  23. A.A. Chernov, V.A. Yakovlev. Langmuir 3, 635 (1987)
  24. A.A. Chernov, L.V. Mikheev. Phys. Rev. Lett. 60, 2488 (1988)
  25. D.G. Gromov, A.I. Mochalov, A.G. Klimovitskiy, A.D. Sulimin, E.N. Redichev. Appl. Phys. 81, 1337 (2005)
  26. E.N. Redichev, D.G. Gromov, S.A. Gavrilov, A.I. Mochalov, R.M. Ammosov. Proc. of SPIE 6260, 62601H-1 (2006)
  27. А.А. Буздуган, С.А. Гаврилов, Д.Г. Громов, Е.Н. Редичев, И.С. Чулков. Изв. вузов. Электроника 2, 21 (2007)
  28. М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов. Справочник. Металлургиздат, М. (1962). 1488 с
  29. А.П. Достанко, В.В. Баранов, В.В. Шаталов. Пленочные токопроводящие системы СБИС. Вышейш. шк., Минск (1989). 238 с
  30. А.Е. Рубцов. Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы 4 (897), 49 (1982)
  31. B. Carriere, J.P. Deville. Surf. Sci. 80, 278 (1979)
  32. Процессы реального кристаллообразования / Под ред. Н.В. Белова. Наука, М. (1977). 234 c
  33. Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Учеб. пособие для вузов. Металлургия, М. (1979). 408 с
  34. M. Wautelet, J.P. Dauchot, M. Hecq. Nanotechnology 11, 6 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.