Громов Д.Г.1, Гаврилов С.А.1
1Московский институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
Email: gromov@optolink.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Анализируется процесс плавления, которое в полубесконечных системах, обладающих поверхностью, всегда является гетерогенным. С позиции классической термодинамики показано, что в реальных однокомпонентных системах слой жидкости на поверхности твердой фазы образуется при температурах, меньших справочной температуры плавления объемного материала, при которой происходит полное расплавление системы. В зависимости от температуры жидкий слой определенной толщины на поверхности находится в равновесии со всей остальной кристаллической фазой. Показано, что гетерогенное плавление влияет на ряд процессов и механизмов, таких как распад тонкой пленки на капли, механизм эпитаксии пар-жидкость-твердое состояние, механизм послойного роста кристаллов, механизм роста углеродных нанотрубок. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-03-32744-a, 05-08-01508-a, 06-08-00780-a). PACS: 61.46.-w, 61.46.Fg, 64.70.D-, 65.40.gp, 68.08.-p, 68.35.Md, 68.55.A-, 68.60.Dv, 68.65.-k
- А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Физматлит, М. (2005). 416 с
- Ю.Ф. Комник. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты. Атомиздат, М. (1979). 264 с
- А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Нанокристаллические материалы. Физматлит, М. (2001). 224 с
- И.П. Суздалев. Нанотехнология: физикохимия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. КомКнига, М. (2006). 592 с
- Р.А. Андриевский, А.В. Рагуля. Наноструктурные материалы. Академия, М. (2005). 180 с
- U. Tartaglino, T. Zykova-Timan, F. Ercolessi, E. Tosatti. Phys. Rep. 411, 291 (2005)
- P. Muller, R. Kern. Surf. Sci. 529, 59 (2003)
- Я.Е. Гегузин. Физика спекания. Наука, М. (1984). 311 с
- Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев. ЖФХ 79, 1578 (2005)
- Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, А.В. Климовицкая, Р.М. Аммосов. ЖФХ 80, 1856 (2006)
- Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М. Аммосов. ФТТ 49, 172 (2007)
- С.С. Белоусов, С.А. Гаврилов, Д.Г. Громов, Е.Н. Редичев, И.С. Чулков. Изв. вузов. Электроника 1, 15 (2007)
- В.И. Ролдугин. Физикохимия поверхности. Интеллект, Долгопрудный (2008). 568 с
- V.M. Dubin. Method for filling high aspect ratio openings of an integrated circuit to minimize electromigration failure. Patent USA N6077780 (2000). 8 p
- В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела. Изд-во МГУ, М. (1999). 287 с
- R.M. Goodman, H.H. Farrell, G.A. Somorjai. J. Chem. Phys. 48, 1046 (1968)
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
- Дж. Эмсли. Элементы. Мир, М. (1993). 256 с
- B. Pluis, A.W. Denier van der Gon, J.F. van der Veen. Surf. Sci. 239, 265 (1990); Y. Shigeta, Y. Fukaya. Appl. Surf. Sci. 237, 21 (2004)
- J.W. Cahn. J. Chem. Phys. 66, 3667 (1977)
- J.W. Cahn. J. Phys. 43, 6 (1982)
- A.A. Chernov, L.V. Mikheev. Physica A 157, 1042 (1989)
- A.A. Chernov, V.A. Yakovlev. Langmuir 3, 635 (1987)
- A.A. Chernov, L.V. Mikheev. Phys. Rev. Lett. 60, 2488 (1988)
- D.G. Gromov, A.I. Mochalov, A.G. Klimovitskiy, A.D. Sulimin, E.N. Redichev. Appl. Phys. 81, 1337 (2005)
- E.N. Redichev, D.G. Gromov, S.A. Gavrilov, A.I. Mochalov, R.M. Ammosov. Proc. of SPIE 6260, 62601H-1 (2006)
- А.А. Буздуган, С.А. Гаврилов, Д.Г. Громов, Е.Н. Редичев, И.С. Чулков. Изв. вузов. Электроника 2, 21 (2007)
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов. Справочник. Металлургиздат, М. (1962). 1488 с
- А.П. Достанко, В.В. Баранов, В.В. Шаталов. Пленочные токопроводящие системы СБИС. Вышейш. шк., Минск (1989). 238 с
- А.Е. Рубцов. Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы 4 (897), 49 (1982)
- B. Carriere, J.P. Deville. Surf. Sci. 80, 278 (1979)
- Процессы реального кристаллообразования / Под ред. Н.В. Белова. Наука, М. (1977). 234 c
- Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Учеб. пособие для вузов. Металлургия, М. (1979). 408 с
- M. Wautelet, J.P. Dauchot, M. Hecq. Nanotechnology 11, 6 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
