Вышедшие номера
Исследование вольт-амперных характеристик структуры n-CdS--p-CdTe с протяженным слоем промежуточного твердого раствора
Мирсагатов Ш.А.1, Лейдерман А.Ю.1, Айтбаев Б.У.1, Махмудов М.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: mirsagatov@ramler.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Приведены результаты исследований гетероструктур n-CdS-p-CdTe c протяженным слоем промежуточного твердого раствора, для которого соблюдается соотношение w/L~10 (w --- длина базы, L --- диффузионная длина неосновных носителей). Вольт-амперные характеристики таких структур в значительном диапазоне изменений напряжения хорошо описываются степенными закономерностями типа J~ AValpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса. Работа выполнена по грантам ФА-ФО32 и ФА-ФО27-ФО28 Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Rw, 72.10.-d
  1. K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Coblins. Appl. Phys. 75, 22, 3503 (1999)
  2. Ж. Жанабергенев, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорган. материалы 41, 8, 915 (2005)
  3. С.А. Музафарова, Ж. Жанабергенов. Неорган. материалы 43, 7, 781 (2007)
  4. S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatov. УФЖ 51, 11--12, 1125 (2006)
  5. Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов, С.А. Музафарова. ФТТ 49, 7, 1111 (2007)
  6. Х.Х. Исмоилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ 50, 11, 1953 (2008)
  7. W. Shockley, W. Read. Phys. Rev. 87, 835 (1952)
  8. А.В. Ржанов. ФТТ 3, 3698 (1961)
  9. P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 26, 419 (1968)
  10. П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. В сб.: Физика и материаловедение полупроводников / Под ред. В.И. Фистуля. Металлургия, М. (1987). 80 с
  11. А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР 7, 21 (1987)
  12. А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР 4, 25 (1989)
  13. М.Г. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. В кн.: Физика соединений A-=SUB=-2-=/SUB=-B-=SUB=-6-=/SUB=-. Наука, М. (1986). 109 с
  14. А.Ю. Лейдерман, ДАН УзССР 1, 24 (1989)
  15. А.Ю. Лейдерман, М.К. Минбаева. ФТП 30, 1729 (1996)
  16. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 210 с
  17. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 249 с
  18. Физика и химия полупроводников. A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). 624 с
  19. L.W. Davies. Proc. IEEE 51, 1637 (1963)
  20. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперименты. Энергоатомиздат, М. (1987). 278 с
  21. K. Zanio. In: Semiconductors and semimals. Acad. Press, N.Y. (1978). V. 13. 210 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.