Вышедшие номера
Исследование вольт-амперных характеристик структуры n-CdS--p-CdTe с протяженным слоем промежуточного твердого раствора
Мирсагатов Ш.А.1, Лейдерман А.Ю.1, Айтбаев Б.У.1, Махмудов М.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: mirsagatov@ramler.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Приведены результаты исследований гетероструктур n-CdS-p-CdTe c протяженным слоем промежуточного твердого раствора, для которого соблюдается соотношение w/L~10 (w - длина базы, L - диффузионная длина неосновных носителей). Вольт-амперные характеристики таких структур в значительном диапазоне изменений напряжения хорошо описываются степенными закономерностями типа J~ AValpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса. Работа выполнена по грантам ФА-ФО32 и ФА-ФО27-ФО28 Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Rw, 72.10.-d